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dc.contributor.advisor | Mateos López, Javier | es_ES |
dc.contributor.advisor | Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio | es_ES |
dc.contributor.author | Pérez Martín, Elsa | |
dc.date.accessioned | 2023-10-27T07:25:57Z | |
dc.date.available | 2023-10-27T07:25:57Z | |
dc.date.issued | 2023-06-20 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10366/153423 | |
dc.description.abstract | Las aplicaciones que surgen de la radiación electromagnética en el rango de ondas milimétricas y submilimétricas (llegando a los THz) tienen un enorme potencial en infinidad de campos relacionados con las tecnologías de la información y las comunicaciones, control industrial, diagnóstico médico, escáneres de seguridad, etc. De ahí la creciente necesidad de encontrar dispositivos capaces de operar a frecuencia elevada. Con el fin de mejorar las prestaciones de las tecnologías tradicionales (fundamentalmente basadas en diodos Schottky de GaAs), tales como la frecuencia de operación o las capacidades de manejar altas potencias, se busca desarrollar nuevos dispositivos semiconductores con arquitecturas diferentes. En este trabajo, se realiza un análisis experimental exhaustivo en función de la temperatura T (10-300 K), tanto en régimen DC como AC, así como de la detección de potencia en RF, de una de estas posibles opciones novedosas: el diodo autoconmutante o Self-Switching Diode (SSD) basado en una heteroestructura de AlGaN/GaN. Para analizar el importante impacto de las trampas que típicamente aparecen en la no completamente madura tecnología de GaN (ya sean en volumen o en superficie), se realizarán experimentos que van desde la medida básica de las curvas DC o el análisis de la impedancia, hasta algunas más complejas como es la extracción del circuito equivalente de pequeña señal, o el cálculo de las figuras de mérito que caracterizan la detección (responsividad y potencia equivalente de ruido) hasta una frecuencia de 43.5 GHz. Los resultados experimentales se complementan, por un lado, con el desarrollo de un modelo analítico cuasi-estático (QS) que predice las prestaciones de detección a partir de las curvas I-V y, por otro, con simulaciones numéricas usando un simulador Monte Carlo (MC) para explicar la física que hay detrás del mecanismo de detección y analizar el papel de las trampas en el funcionamiento del SSDs. | es_ES |
dc.description.sponsorship | Esta Tesis se ha desarrollado con la ayuda de una beca de investigación de Formación Personal Investigador, financiada por el Ministerio de Ciencia e Innovación (Ministerio de Universidades). Proyectos: Tecnologías de diodos de GaN para generación y detección en la banda de subterahercios (TEC2017-83910-R). Ministerio de Educación y Ciencia - Dirección General de Investigación. Nanodispositivos ultrarrápidos y eficientes para comunicaciones y espectroscopía de THz basados en semiconductores de gap ancho y estrecho (PID2020-115842RB-I00). Ministerio de Educación y Ciencia - Dirección General de Investigación. | es_ES |
dc.language.iso | spa | es_ES |
dc.subject | Diodo semiconductor | es_ES |
dc.subject | Nitruro de galio | es_ES |
dc.subject | Método de Monte Carlo | es_ES |
dc.subject | Trampas | es_ES |
dc.subject | Caracterización eléctrica | es_ES |
dc.subject | Microondas | es_ES |
dc.subject | Circuito equivalente | es_ES |
dc.subject | Detección | es_ES |
dc.subject | Estados superficiales | es_ES |
dc.subject | Efectos de memoria | es_ES |
dc.title | Estudio de la influencia de las trampas en el comportamiento DC y AC de nanodiodos de GaN a temperaturas criogénicas y su aplicación como detectores de microondas | es_ES |
dc.type | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis | es_ES |
dc.subject.unesco | 3307.90 Microelectrónica | es_ES |
dc.subject.unesco | 3307.14 Dispositivos Semiconductores | es_ES |
dc.subject.unesco | 3307.08 Dispositivos de microondas | es_ES |
dc.subject.unesco | 3307.92 Microelectrónica. Teconologías III-V y alternativas | es_ES |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es_ES |
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GINEAF. Tesis [5]