DSpace Colección : http://hdl.handle.net/10366/4755 2013-06-18T23:25:23Z Estudio comparativo del comportamiento acústico de materiales cerámicos fabricados con residuos de construcción http://hdl.handle.net/10366/119809 Título : Estudio comparativo del comportamiento acústico de materiales cerámicos fabricados con residuos de construcción Autor(es) : Vicente Benito, Diego Resumen : [Es] La aplicación de materiales, obtenidos a partir de residuos de construcción, se ha ido incorporando a los procesos de fabricación de materiales en diversos campos. En el caso de los materiales destinados al acondicionamiento acústico se emplean los residuos de polimeros y textiles de forma extendida.; [EN]The application of materials obtained from construction waste, has been incorporated into the manufacturing of materials in various fields. In the case of materials for the acoustic conditioning of polymers used and waste textiles extended form. Descripción : Proyecto Fin de Carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2012 2011-12-31T23:00:00Z Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET http://hdl.handle.net/10366/115117 Título : Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET Autor(es) : Couso Fontanillo, Carlos Resumen : [ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales.; [EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET. Descripción : Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2011 2010-12-31T23:00:00Z Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED) http://hdl.handle.net/10366/56071 Título : Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED) Autor(es) : Fernández Buitrago, Natalia Descripción : Proyecto fin de carrera de Ingeniería de Materiales de la Escuela Politécnica Superior de Zamora, sobre caracterización de superficies de semiconductores 2003-12-31T23:00:00Z