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Título : Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET
Autor(es) : Couso Fontanillo, Carlos
Director(es) : Rengel Estévez, Raúl
Palabras clave : Transistores Mosfet
MOSFET transistors
Semiconductores
Semiconductors
Clasificación UNESCO: Materias::Investigación::33 Ciencias tecnológicas::3307 Tecnología electrónica::330714 Dispositivos semiconductores
Materias::Investigación::33 Ciencias tecnológicas::3307 Tecnología electrónica::330719 Transistores
Fecha de publicación : 2011
Resumen : [ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales.
[EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET.
Descripción : Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2011
URI : http://hdl.handle.net/10366/115117
Aparece en las colecciones: PFC. Proyecto Fin de Carrera de Ingeniería de Materiales

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