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Título
Estudio Monte Carlo de transistores SBMOSFET de doble puerta
Autor(es)
Director(es)
Materia
Transistores Mosfet
MOSFET Transistors
Monte-Carlo, Método de
Monte Carlo method
Semiconductores
Semiconductors
Clasificación UNESCO
3307.19 Transistores
3306.09 Transmisión y distribución
3307.19 Transistores
Fecha de publicación
2013
Resumen
[ES] Trata del estudio del efecto que se produce en el rendimiento de los transistores SB-MOSFET al añadir un segundo contacto de puerta en la parte inferior del dispositivo,recurriendo a la ayuda de un simulador Monte Carlo desarrollado integramente en el Área de Electrónica de la Universidad de Salamanca.Analizando los datos obtenidos y exponiendo las conclusiones extraídas de este trabajo. [EN] Try studying the effect produced in the performance of SB-MOSFET transistors to add a second door contact on the bottom of the device, using the help of a Monte Carlo simulator developed entirely in the area of Electronics Salamanca.Analizando University exposing the data obtained and the conclusions drawn from this work.
Descripción
Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2013
URI
Colecciones
Ficheros en el ítem
Tamaño:
2.667Mb
Formato:
Desconocido
Descripción:
Proyecto fin de carrera