http://hdl.handle.net/10366/128084 2026-04-21T08:33:49Z http://hdl.handle.net/10366/156706 [ES] En el presente trabajo se busca estudiar diferentes patrones difractivos de la luz mediante cálculo analítico, numérico e implementación experimental. Tanto para los cálculos como para las representaciones se utilizará el programa Wolfram Mathematica (versión 11.1). En primer lugar se analizarán los patrones de difracción de luz monocromática generados por aberturas en una y dos dimensiones, utilizando la difracción de Fraunhofer para el cálculo analítico y la de Fresnel para el numérico, y se compararán ambos resultados. Posteriormente se tomarán medidas experimentales utilizando un láser como fuente de luz y diversas aberturas (rendija simple, obstáculo y red de difracción), para obtener la longitud de onda incidente o la dimensión característica de la abertura. Por último se estudiará la difracción de fuentes de luz policromáticas, como un láser pulsado con distribución espectral de amplitudes gaussiana, mediante lentes difractiva acromática, refractiva cromática y difractiva kinoforme.; [EN] In the present work we seek to study different diffractive patterns of light through analytical, numerical calculation and experimental implementation. For both the calculations and The Wolfram Mathematica program (version 11.1) will be used for the representations. Firstly, the monochromatic light diffraction patterns generated will be analyzed. through openings in one and two dimensions, using Fraunhofer diffraction for the calculation analytical and Fresnel for numerical, and both results will be compared. Subsequently, experimental measurements will be taken using a laser as a light source. and various apertures (simple slit, obstacle and diffraction grating), to obtain the length of incident wave or the characteristic dimension of the opening. Finally, the diffraction of polychromatic light sources will be studied, such as a pulsed laser with Gaussian spectral distribution of amplitudes, using achromatic diffractive lenses, chromatic refractive and kinoform diffractive. 2021-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/156430 [ES] En las últimas décadas, los materiales semiconductores han despertado un enorme interés para el avance y desarrollo de la electrónica. Uno de los materiales con mayor perspectiva de futuro, gracias a sus propiedades y potenciales aplicaciones, es el nitruro de Galio (GaN). Diferenciado del resto de los materiales por tener un GAP ancho y una elevada movilidad electrónica, el nitruro de galio se sitúa como principal exponente en aplicaciones de radio frecuencia (RF) de electrónica de potencia.; [EN] In recent decades, semiconductor materials have attracted enormous interest. interest for the advancement and development of electronics. One of the materials with the greatest future perspective, thanks to its properties and potential applications, is nitride of Gallium (GaN). Differentiated from the rest of the materials by having a wide GAP and a high electronic mobility, gallium nitride is the main exponent in radio frequency (RF) applications of power electronics. 2020-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/156429 [ES] En este trabajo se ha realizado un primer acercamiento hacia el estudio del comportamiento de los dispositivos electrónicos como detectores directos de radiofrecuencia (RF), caracterizando transistores de alta movilidad electrónica (High Electron Mobility Transistor, HEMT) fabricados con GaN trabajando en polarización nula (Zero Bias Detector, ZBD). Las medidas en radiofrecuencia para observar el comportamiento de estos dispositivos son lentas, complejas y tediosas, de manera que el objetivo de proyecto es hacer uso de una aproximación analítica, denominada modelo cuasiestático (QS), con la intención de predecir la respuesta de los HEMT frente a señales de RF incidentes sobre ellos a partir de medidas en corriente continua únicamente, más rápidas y sencillas de realizar.; [EN] In this work, a first approach has been made towards the study of the behavior of electronic devices as direct radio frequency (RF) detectors, characterizing high electron mobility transistors (HEMT) manufactured with GaN working in zero polarization (Zero ). Polarization detector, ZBD). Radio frequency measurements to observe the behavior of these devices are slow, complex and tedious, so the objective of the project is to use measurements from an analytical approach, called quasi-static model (QS), with the intention of predicting the response of the devices. HEMT. against RF signals incident on them from direct current measurements only, faster and easier to perform. 2020-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/156077 [ES] En este Trabajo de Fin de Grado (TFG) se realizará la caracterización eléctrica de transistores de alta movilidad de electrones, en inglés high electron mobility transistor (HEMT) de nitruro de galio (GaN) que han sido fabricados en el Institut d’électronique de microélectronique et de nanotechnologie (IEMN), de Lille (Francia). Las medidas experimentales, tanto estáticas (DC), como pulsadas y de capacidad (CV), se han efectuado a diferentes temperaturas desde 6 K hasta 500 K. El objetivo principal será establecer un protocolo de medidas eléctricas para estudiar los diferentes componentes que contiene la oblea desde diodos, pasando por las resistencias hasta propiamente los transistores de efecto de campo.; [EN] In this Final Degree Project (TFG) the electrical characterization of transistors will be carried out high electron mobility transistor (HEMT) gallium nitride (GaN) that have been manufactured at the Institut d'´electronique de micro´electronique et de nanotechnologie (IEMN), Lille (France). The experimental measurements, both Static (DC), as well as pulsed and capacity (CV), have been carried out at different temperatures from 6 K to 500 K. The main objective will be to establish a measurement protocol electrical tests to study the different components contained in the wafer from diodes, passing from the resistors to the field effect transistors themselves. 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/155896 [ES] En el presente estudio se describe la síntesis de sistemas laminares tipo hidrotalcita con Zn2+ y Al3+ y carbonato como anión interlaminar y el uso posterior de los mismos y sus derivados tras calcinarlos como fotocatalizadores en la descomposición de 4-nitrofenol.; [EN] In the present study, the synthesis of hydrotalcite-type laminar systems with Zn2+ and Al3+ and carbonate as interlaminar anion and the subsequent use of them and their derivatives after calcining them as photocatalysts in the decomposition of 4-nitrophenol. 2019-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/152990 [ES] En este trabajo se ha analizado el transporte electrónico en dos de los TMDs semiconductores más investigados, molibdenita (MoS2) y wurtzita (WS2), a partir del simulador Ensemble Monte Carlo, ya que permite el estudio de los sistemas degenerados. Además del estudio de la movilidad a bajo campo, se ha realizado un análisis de la velocidad de deriva a altos valores de campo (30 kV/cm). A temperaturas de 50 K se ha observado que en ambos materiales se logra alcanzar una velocidad de saturación, perdiendo esta tendencia con el incremento de la temperatura, siendo en general mayores las velocidades en el WS2 debido a las menores masas efectivas, a diferencia del MoS2.; [EN] In this work, the electronic transport in two of the most investigated semiconductor TMDs, molybdenite (MoS2) and wurtzite (WS2), has been analyzed using the Ensemble Monte Carlo simulator, since it allows the study of degenerate systems. In addition to the study of mobility at low field, an analysis of the drift speed at high field values (30 kV/cm) has been carried out. At temperatures of 50 K it has been observed that in both materials a saturation speed is achieved, losing this tendency with the increase in temperature, being in general higher speeds in WS2 due to lower effective masses, unlike MoS2. . 2021-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/152987 [ES] La explotación minera de algunos elementos de interés económico trae asociada la generación de residuos mineros, entre ellos, la arsenopirita (FeAsS). Habitualmente estos residuos no han sido gestionados de manera correcta, por lo que suponen un riesgo por la posible liberación del arsénico al medio circundante al estar expuesto a condiciones atmosféricas. Por tanto, la acumulación de residuos que contienen arsenopirita en escombreras representa un peligro para el medio ambiente y deben tomarse medidas que aseguren su inmovilización. Una técnica comúnmente utilizada para el tratamiento de residuos mineros es la cementación. El objetivo del presente trabajo es evaluar la eficacia de la técnica de cementación para el tratamiento de diversos residuos mineros que contienen arsénico para su posible disposición en vertederos controlados.; [EN] The mining of some elements of economic interest is associated with the generation of mining waste, including arsenopyrite (FeAsS). Usually, these residues have not been managed correctly, so they pose a risk due to the possible release of arsenic into the surrounding environment when exposed to atmospheric conditions. Therefore, the accumulation of waste containing arsenopyrite in tailings represents a danger to the environment and measures must be taken to ensure its immobilization. A commonly used technique for the treatment of mining waste is cementing. The objective of this work is to evaluate the effectiveness of the cementation technique for the treatment of various mining wastes that contain arsenic for their possible disposal in controlled landfills. 2022-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/10366/152945 [ES] En el presente trabajo, se han realizado unas modificaciones al estudio publicado por T. Ekkens de la universidad de Walla Walla en el cual se explica la fabricación de diodos Schottky, a través del uso de bombillas halógenas de 500W, que se encuentran en las lámparas de jardín. Con el fin de sustituirlo por una placa vitrocerámica de 2000W. El nuevo proceso de fabricación es mucho más sencillo y seguro, haciéndolo mucho más apto para ser usado en prácticas de campo y como objetivo de divulgación científica referente a métodos de fabricación en electrónica. Los diodos fabricaros se realizaron atendiendo especialmente a dos parámetros: tiempo de recocido y número de recocidos realizados al oro y al aluminio. Los diodos obtenidos se caracterizaron con ayuda del dispositivo de adquisición de datos MyDAQ y un programa diseñado en el área de Electrónica (perteneciente al Departamento de Física Aplicada) de la USAL, llamado USALmyDAQv1.1, qué es un osciloscopio diseñado especialmente para la medición de curvas I-V. Las gráficas obtenidas se compararon entre sí y con las de los diodos obtenidos mediante el método de fabricación especificado en el trabajo de T. Ekkens. Logrando obtener un nuevo procedimiento de fabricación, que permite conseguir diodos Schottky con carácter rectificador, mejor que los que se obtenían anteriormente con la lámpara de jardín.; [EN] In this work, modifications have been made to the study published by T. Ekkens from Walla Walla University, which explains the fabrication of Schottky diodes using 500W halogen bulbs found in garden lamps. The aim is to replace this method with the use of a 2000W vitroceramic plate. The new manufacturing process is much simpler and safer, making it much more suitable for field practices and as a target for scientific dissemination regarding electronic manufacturing methods. The fabricated diodes were characterized with two key parameters: annealing time and number of annealings performed on gold and aluminum. They were tested using the data acquisition device MyDAQ and a program developed in the area of Electronics (belonging to the Department of Applied Physics) USAL called USALmyDAQv1.1, which is an oscilloscope specifically designed for I-V curve measurements. The obtained graphs were compared among themselves and with those obtained using the fabrication method specified in T. Ekkens' work. Achieving a new manufacturing procedure that enables the production of Schottky diodes with rectifying characteristics, superior to those previously obtained with the garden lamp. 2023-01-01T00:00:00Z