http://hdl.handle.net/10366/4106 Wed, 22 Apr 2026 04:23:32 GMT 2026-04-22T04:23:32Z http://hdl.handle.net/10366/153862 [ES]Se han realizado varios tipos de medidas: Medidas de la característica IV en polarización directa. Estas se realizan tanto con iluminación externa como sin ella, con el n de extraer parámetros para modelizar el comportamiento de la célula y permiten una primera estimación de la calidad del dispositivo. El presente documento se centra en las medias IV en polarización directa bajo condiciones de iluminación externa. Medidas de la característica IV en polarización directa con el objetivo de comprobar la homogeneidad de un módulo fotovoltaico. Disponemos de distintas porciones de un módulo completo y realizamos las medidas del item anterior para estudiar la dispersión de los valores extraídos. Medidas de la característica IV durante varias horas para comprobar la estabilidad a corto plazo de la célula. Estas medidas no remitieron resultados relevantes y se han obviado en el trabajo. Medidas de la característica IV modifi cando la temperatura de la célula. Para ello colocamos la sonda de un termopar en la parte posterior del módulo, es decir, sobre la capa de vidrio, de forma que no medíamos la temperatura real de la célula y sólo podíamos tener una estimación de su valor en incrementos. Por estas razones este tipo de medidas no se exponen de forma extensa y los valores de la temperatura obtenidos no se muestran con los demás resultados. Medidas de la característica IV en polarización inversa sin iluminación. La finalidad de esta medida es extraer la resistencia en paralelo del módulo (Rsh), que defi niremos en el capítulo 2. Puesto que este parámetro se ha extraído por otro método y este tipo de medidas son más delicadas de analizar, no se expondrán los resultados. Medidas capacitivas (curva C-V) en inversa y sin iluminación. Permiten realizar un pro ling de las impurezas ionizadas activas en el semiconductor. Estas son las medidas capacitivas que se muestran en el trabajo. Medidas capacitivas modi cando la frecuencia de la se~nal de alterna (curva C-Freq). Con el n de estudiar el comportamiento dinámico del dispositivo. Estas medidas han arrojado nuevos problemas que exceden el alcance de este trabajo. Medidas capacitivas DLCP (Drive Level Capacitance Pro ling). A través de estas medidas podemos extraer más información del dispositivo (como la densidad de impurezas profundas y la anchura de la zona de carga espacial). Sin embargo, estas medidas son muy delicadas de hacer y para poder considerarlas debemos garantizar la calidad y reproducibilidad de los contactos eléctricos con el dispositivo (sería necesario una estación de puntas). Pero sólo serán discutidas las más relevantes, en sus correspondientes apartados. Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT http://hdl.handle.net/10366/153862 2011-01-01T00:00:00Z