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dc.contributor.advisorDíez Fernández, Enrique es_ES
dc.contributor.advisorLejarreta González, Juan Domingo es_ES
dc.contributor.authorHernández Fuentevilla, Cristina Natalia 
dc.date.accessioned2020-06-24T19:24:47Z
dc.date.available2020-06-24T19:24:47Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10366/143530
dc.description.abstract[ES]El objetivo principal de esta tesis ha sido estudiar las propiedades de transporte electrónico en el régimen balísticos en nano-dispositivos de grafeno en presencia de barreras de potencial y/o nano-constricciones. Se ha prestado especial atención a dispositivos 2D y a la dependencia de la conductancia con el ángulo de incidencia de los portadores. Aunque los principales resultados de esta tesis son teóricos, algunos de los resultados de transporte balístico en presencia de nano-constricciones han podido ser validados experimentalmente.es_ES
dc.format.extentp.
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.languageEspañol
dc.language.isospaes_ES
dc.relation.requiresAdobe Acrobat
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.subjectTesis y disertaciones académicases_ES
dc.subjectUniversidad de Salamanca (España)es_ES
dc.subjectTesis Doctoral
dc.subjectAcademic dissertations
dc.subjectTransporte de electrones
dc.subjectTransistores
dc.titleTransmisión y conductancia en dispositivos electrónicos basados en grafenoes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.unesco2203.06 Transporte de Electroneses_ES
dc.subject.unesco3307.19 Transistoreses_ES
dc.identifier.doi10.14201/gredos.143530
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES


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