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2015Monte Carlo model for the analysis and development of III-V Tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETsTalbo, Vincent; Mateos López, Javier; González Sánchez, Tomás; Lechaux, Y.; Wichmann, Nicolas; Bollaert, Sylvain; García Vasallo, Beatrizinfo:eu-repo/semantics/article2016-10-04T08:00:00Z; 2016-10-04T08:00:00Z; 2015