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Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels: Profile on PlumX
Título : Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels
Autor(es) : Sangaré, Paul
Ducournau, Guillaume
Grimbert, Bertrand
Virginie, Brandli
Faucher, Marc
Gaquière, Christophe
Íñiguez de la Torre, Ana
Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio
Millithaler, Jean Francois
Mateos López, Javier
González, Tomás
Palabras clave : Nanodevices
Terahertz
GaN
Clasificación UNESCO: Materias::Investigación::22 Física
Fecha de publicación : 2013
Citación : Journal of Applied Physics 113, 034305 (2013)
Resumen : The potentialities of AlGaN/GaN nanodevices as THz detectors are analyzed. Nanochannels with broken symmetry (so called Self Switching Diodes) have been fabricated for the first time in this material system using both recess-etching and ion implantation technologies. The responsivities of both types of devices have been measured and explained using Monte Carlo simulations and non linear analysis. Sensitivities up to 100 V/W is obtained at 0.3 THz with a 280 pW/sqrt(Hz) Noise Equivalent Power.
URI : http://hdl.handle.net/10366/122100
Aparece en las colecciones: DFA. Artículos del Departamento de Física Aplicada

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