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Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices: Profile on PlumX
Título : Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices
Autor(es) : Mateos López, Javier
García Vasallo, Beatriz
Pardo Collantes, Daniel
González Sánchez, Tomás
Galloo, Jean-Sébastien
Bollaert, Sylvain
Roelens, Yannick
Cappy, Alain
Palabras clave : Dispositivos balísticos
TeraHercios
Nanoelectrónica
Nanociencia
Método Monte Carlo
Ballistic transport
THz devices
Método Monte Carlo
Nanoelectronics
Fecha de publicación : sep-2003
Editor : IEEE Electron Devices Society
Citación : Mateos López, J., García Vasallo, B., Pardo Collantes, D. González Sánchez, T., Galloo, J. S. ,Bollaert, S., Roelens, Y., y Cappy, A. (2003, September). Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices. "IEEE Transactions on Electron Devices", 50 (9), 1897-1905.
Resumen : Abstract By using a semi-classical two-dimensional (2-D) Monte Carlo simulation, simple ballistic devices based on AlInAs/InGaAs channels are analyzed. Our simulations qualitativelyreproduce the experimental results in T- and Y-branch junctions as well as in a ballistic rectifier appearing as a result ofelectron ballistic transport. We show that a quantum description of electron transport is not essential for the physical explanation of these results since phase coherence plays no significant role.On the contrary, its origin can be purely classical: the presence ofclassical electron transport and space charge inside the structures.
Descripción : Estudio sobre dispositivos balísticos.
URI : http://hdl.handle.net/10366/55886
http://hdl.handle.net/10366/55886
Aparece en las colecciones: GINEAF. Artículos del Grupo de Investigación en Nanodispositivos Electrónicos de Alta Frecuencia

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