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Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED): Profile on PlumX
Título : Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)
Autor(es) : Fernández Buitrago, Natalia
Palabras clave : Semiconductores
Haces moleculares
Difracción de electrones
Dispositivos electrónicos
Semiconductors
Electrons difraction
Electronics
Fecha de publicación : 2004
Descripción : Proyecto fin de carrera de Ingeniería de Materiales de la Escuela Politécnica Superior de Zamora, sobre caracterización de superficies de semiconductores
URI : http://hdl.handle.net/10366/56071
http://hdl.handle.net/10366/56071
Aparece en las colecciones: PFC. Proyecto Fin de Carrera de Ingeniería de Materiales

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