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Rengel Estévez, Raúl Martín Martínez, María Jesús García Iglesias, José Santiago 2013 Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2013 [ES] Trata del estudio del efecto que se produce en el rendimiento de los transistores SB-MOSFET al añadir un segundo contacto de puerta en la parte inferior del dispositivo,recurriendo a la ayuda de un simulador Monte Carlo desarrollado integramente en el Área de Electrónica de la Universidad de Salamanca.Analizando los datos obtenidos y exponiendo las conclusiones extraídas de este trabajo. [EN] Try studying the effect produced in the performance of SB-MOSFET transistors to add a second door contact on the bottom of the device, using the help of a Monte Carlo simulator developed entirely in the area of Electronics Salamanca.Analizando University exposing the data obtained and the conclusions drawn from this work. application/zip http://hdl.handle.net/10366/122196 spa 3307.19 Transistores 3306.09 Transmisión y distribución 3307.19 Transistores Estudio Monte Carlo de transistores SBMOSFET de doble puerta info:eu-repo/semantics/bachelorThesis info:eu-repo/semantics/bachelorThesis 2,66 MB TEXT Gredos. Repositorio Documental de la Universidad de Salamanca Hispana