2026-09-16T19:37:01Zhttps://gredos.usal.es/oai/requestoai:gredos.usal.es:10366/1221962025-04-30T21:49:34Zcom_10366_4747com_10366_4843col_10366_4755
Estudio Monte Carlo de transistores SBMOSFET de doble puerta
García Iglesias, José Santiago
Rengel Estévez, Raúl
Martín Martínez, María Jesús
Transistores Mosfet
MOSFET Transistors
Monte-Carlo, Método de
Monte Carlo method
Semiconductores
Semiconductors
3307.19 Transistores
3306.09 Transmisión y distribución
3307.19 Transistores
Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2013
[ES] Trata del estudio del efecto que se produce en el rendimiento de los transistores SB-MOSFET al añadir un segundo contacto de puerta en la parte inferior del dispositivo,recurriendo a la ayuda de un simulador Monte Carlo desarrollado integramente en el Área de Electrónica de la Universidad de Salamanca.Analizando los datos obtenidos y exponiendo las conclusiones extraídas de este trabajo.
[EN] Try studying the effect produced in the performance of SB-MOSFET transistors to add a second door contact on the bottom of the device, using the help of a Monte Carlo simulator developed entirely in the area of Electronics Salamanca.Analizando University exposing the data obtained and the conclusions drawn from this work.
2013-10-14T10:01:30Z
2013-10-14T10:01:30Z
2013
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
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http://hdl.handle.net/10366/122196
Español
spa
Winzip
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
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2,66 MB
application/zip
Hispana
TEXT
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
Gredos. Repositorio Documental de la Universidad de Salamanca
http://hdl.handle.net/10366/122196