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oai:gredos.usal.es:10366/1221962025-04-30T21:49:34Zcom_10366_4747com_10366_4843col_10366_4755

00925njm 22002777a 4500 dc García Iglesias, José Santiago author 2013 [ES] Trata del estudio del efecto que se produce en el rendimiento de los transistores SB-MOSFET al añadir un segundo contacto de puerta en la parte inferior del dispositivo,recurriendo a la ayuda de un simulador Monte Carlo desarrollado integramente en el Área de Electrónica de la Universidad de Salamanca.Analizando los datos obtenidos y exponiendo las conclusiones extraídas de este trabajo. [EN] Try studying the effect produced in the performance of SB-MOSFET transistors to add a second door contact on the bottom of the device, using the help of a Monte Carlo simulator developed entirely in the area of Electronics Salamanca.Analizando University exposing the data obtained and the conclusions drawn from this work. http://hdl.handle.net/10366/122196 Transistores Mosfet MOSFET Transistors Monte-Carlo, Método de Monte Carlo method Semiconductores Semiconductors Estudio Monte Carlo de transistores SBMOSFET de doble puerta