2026-09-15T13:38:33Zhttps://gredos.usal.es/oai/requestoai:gredos.usal.es:10366/765102025-06-05T12:40:28Zcom_10366_4101com_10366_4055com_10366_3946com_10366_3823com_10366_4756com_10366_4746col_10366_4109col_10366_68518
Martín Martínez, María Jesús
Rengel Estévez, Raúl
Pascual Corral, Elena
2010-08-18T10:57:12Z
2010-08-18T10:57:12Z
2010
http://hdl.handle.net/10366/76510
10.14201/gredos.76510
[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.
[EN] This thesis is the study of expanding devices Silicon MOSFET family, addressing the investigation of alternative structures of great importance for the future of microelectronics in the short to medium term, such as MOSFET transistors, Schottky barrier by developing and use Monte Carlo simulator.
358 p.
application/pdf
Español
spa
Tesis y disertaciones académicas
Universidad de Salamanca (España)
Academic dissertations
Electrónica
Electronics
Microelectrónica
Transistores Mosfet
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
3307.90 Microelectrónica
2203 Electrónica
Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
info:eu-repo/semantics/openAccess