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oai:gredos.usal.es:10366/765102025-06-05T12:40:28Zcom_10366_4101com_10366_4055com_10366_3946com_10366_3823com_10366_4756com_10366_4746col_10366_4109col_10366_68518

Martín Martínez, María Jesús Rengel Estévez, Raúl Pascual Corral, Elena 2010 [ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo. [EN] This thesis is the study of expanding devices Silicon MOSFET family, addressing the investigation of alternative structures of great importance for the future of microelectronics in the short to medium term, such as MOSFET transistors, Schottky barrier by developing and use Monte Carlo simulator. application/pdf http://hdl.handle.net/10366/76510 spa 3307.90 Microelectrónica 2203 Electrónica Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia info:eu-repo/semantics/doctoralThesis info:eu-repo/semantics/doctoralThesis 358 p. TEXT Gredos. Repositorio Documental de la Universidad de Salamanca Hispana