TY  - THES 
A3  - Rengel Estévez, Raúl
A3  - Martín Martínez, María Jesús
AU  - Iglesias Pérez, José Manuel
PY  - 2014
UR  - http://hdl.handle.net/10366/123372
AB  - [ES] Estudio de los efectos de la variabilidad de la posición de las puertas en un transistor Double-Gate (DG) MOSFET de barrera Shottky (en adelante DG-SB-MOSFET) mediante el método de Monte Carlo.
Para ello se toma como punto de partida un...
AB  - [EN] Study of the effects of the variability of the position of the doors to a Double-Gate transistor (DG) MOSFET Shottky barrier (hereinafter SB-DG-MOSFET) using Monte Carlo method.
This is taken as a starting point a dual gate device with your...
LA  - Español
KW  - Transistores Mosfet
KW  - Electrónica
KW  - MOSFET transistors
KW  - electronics
TI  - Estudio de la variabilidad en el alineamiento de las  puertas en transistores DG-MOSFET de barrera Schottky
M3  - info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
ER  -