TY  - THES 
A3  - González Sánchez, Tomás
A3  - Mateos López, Javier
AU  - Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
PY  - 2008
UR  - http://hdl.handle.net/10366/19262
AB  - En los últimos años se han fabricado nuevos dispositivos nanométricos con geometrías ingeniosas basados en heteroestructuras AlInAs/InGaAs de alta movilidad, en donde los electrones se mueven balísticamente guiados por formas, fronteras u obstáculos....
AB  - In recent years new nanometer sized electronic devices based on high electron mobility AlInAs/InGaAs heterostructures with ingenious geometries, in which electrons fly ballistically guided by shapes, edges or inner obstacles have been proposed. In...
LA  - Español
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M3  - info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
DO  - 10.14201/gredos.19262
ER  -