TY - JOUR AU - Mateos López, Javier AU - González Sánchez, Tomás AU - Pardo Collantes, Daniel AU - Bollaert, Sylvain AU - Parenty, Thierry AU - Cappy, Alain PY - 2004 UR - http://hdl.handle.net/10366/55880 AB - Por medio de simulaciones Monte Carlo se ha estudiado el efecto que tienen sobre las características dinamicas de HEMTs de InGaAs con 50nm de longitud de puerta dos parámetros importantes en la fabricación de los transistores: su anchura y el nivel de... AB - By using a Monte Carlo simulator, the static and dynamic characteristics of 50-nm-gate AlInAs GaInAs -dopedhigh-electron mobility transistors (HEMTs) are investigated. The Monte Carlo model includes some important effects that areindispensable when... LA - Inglés PB - Institute of Electrical and Electronics Engineers (Nueva York, Estados Unidos) KW - Monte-Carlo, Método de KW - Diodos semiconductores KW - Monte Carlo method KW - High-speed devices KW - HEMT KW - AlInAs/GaInAs TI - Design optimization of AlInAs GaInAs HEMTs for high-frequency applications ER -