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<title>PFC. Proyecto Fin de Carrera de Ingeniería de Materiales</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/4755</link>
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<pubDate>Mon, 11 May 2026 13:59:02 GMT</pubDate>
<dc:date>2026-05-11T13:59:02Z</dc:date>
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<title>Caracterización química y microestructural de materiales obtenidos a partir de residuos industriales y de construcción</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/129695</link>
<description>[ES]  El desarrollo sostenible requiere, además de controles exhaustivos en la contaminación del Medio, reutilizar toda materia posible, y con el fin de optimizar los recursos disponibles.; [EN] Sustainable development, and comprehensive controls on environmental pollution, reuse every possible material, and in order to optimize the available resources required.
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<pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio de sinterabiblidad y comportamiento acústico de         materiales fabricados a partir de residuos industriales con adición de escoria de soldadura</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/125241</link>
<description>[ES]Se propone el estudio de la sinterabilidad de materiales que provienen de residuos de procesos industriales, como el procedente de la segunda fusión del aluminio y escoria de soldadura, obteniendo las propiedades más óptimas mediante la utilización de distintas composiciones de cada constituyente.; [EN] Sinterability study of waste materials from industrial processes such as from the second melting of aluminum and weld slag, obtaining the optimum properties using different compositions of each constituent is proposed.
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<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Influencia de la adición de escoria de soldadura sobre la sinterabilidad y comportamiento tribológico de materiales  fabricados a partir de residuos de ladrillo</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/125240</link>
<description>[ES] Se propone una vía de solución a los&#13;
problemas descritos anteriormente mediante la reutilización de los residuos, en este caso,procedentes de la construcción como el ladrillo y residuos industriales como es la escoria de&#13;
soldadura, más comúnmente denominada flux. Para dicho fin, se ha tratado de obtener el&#13;
material más óptimo mediante una curva de sinterabilidad trazada con distintas mezclas de composiciones de ambos elementos. Seguidamente, se realizaron una serie de ensayos de desgaste, dureza y acústicos.; [EN] A way of solution is proposed to problems described above by reusing waste, in this case, from construction like brick and industrial waste such as slagwelding, more commonly called flux. To this end, it has sought the more optimal material sinterability by curve plotted with different compositions of mixtures of the two. Next, a series of wear tests, hardness and acoustic performed.
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<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio de la variabilidad en el alineamiento de las  puertas en transistores DG-MOSFET de barrera Schottky</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/123372</link>
<description>[ES] Estudio de los efectos de la variabilidad de la posición de las puertas en un transistor Double-Gate (DG) MOSFET de barrera Shottky (en adelante DG-SB-MOSFET) mediante el método de Monte Carlo.&#13;
Para ello se toma como punto de partida un dispositivo de doble puerta con sus contactos&#13;
perfectamente alineados, efectuando simulaciones de manera sistemática para evaluar las consecuencias de los diferentes tipos de desalineación de las puertas susceptibles de aparecer en el proceso de fabricación. Se ofrece una perspectiva completa del problema en relación a los parámetros estáticos del dispositivo, determinando la influencia de estos&#13;
factores de variabilidad en su rendimiento.; [EN] Study of the effects of the variability of the position of the doors to a Double-Gate transistor (DG) MOSFET Shottky barrier (hereinafter SB-DG-MOSFET) using Monte Carlo method.&#13;
This is taken as a starting point a dual gate device with your contacts perfectly aligned, making simulations to systematically assess the impact of different types of misalignment of the doors which may appear in the manufacturing process. A complete picture of the problem in relation to the static parameters of the device is available, determining the influence of these&#13;
variability factors in performance.
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<pubDate>Wed, 01 Jan 2014 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio previo sobre el reciclado mixto de materiales         procedentes de residuos de construcción y de la segunda         fusión del aluminio</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/122207</link>
<description>[ES] Como respuesta a la problemática ambiental planteada por los residuos generados por la industria secundaria del alumnio, así como la de acumulación de los residuos de construcción y demolición (RCD) en vertederos, los objetivos fundamentales de este trabajo de investigación son la revalorización de un residuo peligroso de la industria secundaria del aluminio y de los RCD, con ello se conseguiría la transformación de un residuo peligroso como es el paval, en un material con valor añadido.; [EN] In response to the environmental problems posed by the waste generated by the secondary industry alumnio and the accumulation of construction and demolition waste (CDW) in landfills, the main objectives of this research are the revaluation of a hazardous waste from secondary aluminum industry and the RCD, with its use for transformation of a hazardous waste as is the paval, in a material with added value.
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<pubDate>Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2013-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio Monte Carlo de transistores SBMOSFET de doble puerta</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/122196</link>
<description>[ES] Trata del estudio del efecto que se produce en el rendimiento de los transistores SB-MOSFET al añadir un segundo contacto de puerta en la parte inferior del dispositivo,recurriendo a la ayuda de un simulador Monte Carlo desarrollado integramente en el Área de Electrónica de la Universidad de Salamanca.Analizando los datos obtenidos y exponiendo las conclusiones extraídas de este trabajo.; [EN] Try studying the effect produced in the performance of SB-MOSFET transistors to add a second door contact on the bottom of the device, using the help of a Monte Carlo simulator developed entirely in the area of Electronics Salamanca.Analizando University exposing the data obtained and the conclusions drawn from this work.
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<pubDate>Tue, 01 Jan 2013 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2013-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio comparativo del comportamiento acústico de materiales cerámicos fabricados con residuos de construcción</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/119809</link>
<description>[Es] La aplicación de materiales, obtenidos a partir de residuos de construcción, se ha ido incorporando a los procesos de fabricación de materiales en diversos campos. En el caso de los materiales destinados al acondicionamiento acústico se emplean los residuos de polimeros y textiles de forma extendida.; [EN]The application of materials obtained from construction waste, has been incorporated into the manufacturing of materials in various fields. In the case of materials for the acoustic conditioning of polymers used and waste textiles extended form.
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<pubDate>Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/115117</link>
<description>[ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales.; [EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET.
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<pubDate>Sat, 01 Jan 2011 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2011-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)</title>
<link>http://hdl.handle.net/10366/56071</link>
<pubDate>Thu, 01 Jan 2004 00:00:00 GMT</pubDate>
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<dc:date>2004-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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