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dc.contributor.authorAutor desconocido
dc.contributor.editorMartín Martínez, María Jesús 
dc.contributor.editorRosado, José María
dc.contributor.editorÍñiguez de la Torre Bayo, José Ignacio 
dc.contributor.otherFabricante desconocido
dc.coverage.spatialSalamanca (España)
dc.date.accessioned2024-07-11T08:02:45Z
dc.date.available2024-07-11T08:02:45Z
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10366/158938
dc.descriptionCuarzo triturado tamaño grava y arena, y cristales de cuarzo hexagonales, cedido por Agustina Fernández Fernández, Profesora del Departamento de Geología de la Universidad de Salamanca y Manuel Alonso, Euroarce Minería. Silicio de grado metalúrgico. Cedido por el Instituto de Microelectrónica de Barcelona, Centro Nacional de Microelectrónica, Barcelona. Tamaño grava (altoxlargoxancho):<20mm Tamaño arena (altoxlargoxancho):<5mm Tamaño silicio metalúrgico (altoxlargoxancho): 48mm x95mmx67mm
dc.description.abstractEl silicio que se utiliza actualmente en circuitos integrados y el resto de las aplicaciones electrónicas es muy puro mientras que el que obtenemos de la naturaleza se encuentra formando los silicatos (minerales compuestos de silicio, oxígeno y otros elementos), fundamentalmente el cuarzo, constituyendo las rocas, en filones o en sedimentos no consolidados (arena, grava) y mezclado con otros elementos químicos. Es necesario por tanto someterlo a diferentes procesos de purificación y una posterior obtención del cristal de silicio ordenado para que esté preparado para la posterior producción de la industria microelectrónica. La purificación de silicio consta de dos pasos mediante los que se obtienen el silicio de grado metalúrgico y el silicio de grado electrónico. es la fabricación de lingotes de silicio mediante sistemas de solidificación direccional de modo que el producto final posea una estructura cristalina uniforme. En el último paso se realiza la cristalización, calentando y fundiendo gradualmente el silicio purificado y molido dentro de un horno de inducción de arco en una atmósfera controlada mediante un preciso gradiente de temperatura para que los cristales de silicio se alineen de manera uniforme con respecto a una semilla, que es un pequeño cristal de silicio de altísima calidad.
dc.publisherUniversidad de Salamanca. Facultad de Ciencias
dc.relation.isreferencedbyDOI: 10.1109/MSPEC.1981.6369482. IEEE Spectrum (Volume: 18, Issue: 4, April 1981)
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subjectElectrónica y Comunicaciones
dc.titleSílica y silicio de grado metalúrgico y electrónico
dc.title.alternativeELECTRONyCOM-08
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/other
dc.relation.publishversionhttps://instrumentosdefisica.usal.es/silica-silicio-grado-metalurgico-electronico/
dc.subject.unesco2203 Electrónica
dc.subject.unesco3307.91 Microelectrónica. Tecnología del Silicio
dc.subject.unesco2211.03 Crecimiento de Cristales
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess


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