TY  - GEN 
AU  - Sánchez Martín, Héctor
PY  - 2020
UR  - http://hdl.handle.net/10366/144048
AB  - Se han analizado diodos autoconmutantes (SSDs) y transitores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de GaN, tanto en el régimen DC como en AC, tanto desde el punto de vista experimental como de simulaciones. Las no linealidades presentes en las...
LA  - eng
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TI  - High-frequency response and thermal effects in GaN diodes and transistors: modeling and experimental characterization
ER  -