TY  - THES 
A3  - Rengel Estévez, Raúl
AU  - Couso Fontanillo, Carlos
PY  - 2011
UR  - http://hdl.handle.net/10366/115117
AB  - [ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales.
AB  - [EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET.
LA  - Español
KW  - Transistores Mosfet
KW  - MOSFET transistors
KW  - Semiconductores
KW  - Semiconductors
TI  - Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET
M3  - info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
ER  -