TY  - THES 
A3  - Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
AU  - Fidalgo García, Raúl
PY  - 2019
UR  - http://hdl.handle.net/10366/156077
AB  - [ES] En este Trabajo de Fin de Grado (TFG) se realizará la caracterización eléctrica de transistores
de alta movilidad de electrones, en inglés high electron mobility transistor (HEMT) de
nitruro de galio (GaN) que han sido fabricados en el Institut...
AB  - [EN] In this Final Degree Project (TFG) the electrical characterization of transistors will be carried out
high electron mobility transistor (HEMT)
gallium nitride (GaN) that have been manufactured at the Institut d'´electronique de...
LA  - Español
KW  - Alta movilidad de electrones
KW  - Nitruro de galio (GaN)
KW  - High electron mobility transistor (HEMT)
KW  - Gallium nitride (GaN)
TI  - Caracterización en oblea de efectos electro-térmicos en dispositivos de GaN
M3  - info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
ER  -