TY  - JOUR 
AU  - García Vasallo, Beatriz
AU  - Mateos López, Javier
AU  - Pardo Collantes, Daniel
AU  - González Sánchez, Tomás
PY  - 2003
UR  - http://hdl.handle.net/10366/19212
AB  - A semiclassical 2D ensemble Monte Carlo simulator is used to perform a physicalmicroscopic analysis of the kink effect in short-channel InAlAs/InGaAs lattice-matched High Electron Mobility Transistors (HEMTs).  Due to the small band gap of InGaAs,...
AB  - En este trabajo se utiliza un simulador Monte Carlo para analizar a nivel microscópico el origen del efecto kink en transistores HEMT de InAlAs/InGaAs de canal corto. Se encuentra que el fenómeno es debido a huecos, generados por mecanismos de...
LA  - Inglés
PB  - American Institute of Physics (Nueva York, Estados Unidos)
KW  - Circuitos integrales
KW  - Dispositivos electrónicos
KW  - Monte-Carlo, Método de
KW  - Transistores
KW  - HEMT
KW  - High-Frequency
KW  - Electronic devices
KW  - Monte Carlo method
TI  - Monte Carlo study of kink effect in short-channel InAlAs/InGaAs highelectron mobility transistors
ER  -