TY  - JOUR 
AU  - Mateos López, Javier
AU  - González Sánchez, Tomás
AU  - Pardo Collantes, Daniel
AU  - Bollaert, Sylvain
AU  - Parenty, Thierry
AU  - Cappy, Alain
PY  - 2004
UR  - http://hdl.handle.net/10366/55878
AB  - Segunda parte del estudio basado en simulaciones Monte Carlo de HEMTs de InGaAs con 50nm de longitud de puerta. En este caso se estudia el efecto sobre el ruido del nivel de dopaje delta, de la anchura de los transistores y también de la longitud del...
AB  - In order to optimize the low-noise performance of 50-nm-gate AlInAs/GaInAs HEMTs, by using an ensemble Monte Carlo simulation we study the influence of three important technological parameters on their noise level: the doping of the ?-doped layer, the...
LA  - Inglés
PB  - Institute of Electrical and Electronics Engineers (Nueva York, Estados Unidos)
KW  - Monte-Carlo, Método de
KW  - Diodos semiconductores
KW  - Monte Carlo method
KW  - Low-noise amplifiers
KW  - HEMT
KW  - AlInAs/GaInAs
TI  - Desing optimization of AlInAs/GalnAs HEMTs for low-noise applications
ER  -