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Titre
Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)
Autor(es)
Sujet
Semiconductores
Haces moleculares
Difracción de electrones
Dispositivos electrónicos
Semiconductors
Electrons difraction
Electronics
Fecha de publicación
2004
Description
Proyecto fin de carrera de Ingeniería de Materiales de la Escuela Politécnica Superior de Zamora, sobre caracterización de superficies de semiconductores
URI
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