TY  - JOUR 
AU  - García Vasallo, Beatriz
AU  - Wichmann, Nicolas
AU  - Bollaert, Sylvain
AU  - Roelens, Yannick
AU  - Cappy, Alain
AU  - González Sánchez, Tomás
AU  - Pardo Collantes, Daniel
AU  - Mateos López, Javier
PY  - 2007
UR  - http://hdl.handle.net/10366/55887
AB  - Se han estudiado las características estáticas y dinámicas de HEMTs de doblre puerta (DG-HEMTs) por medio de simulaciones Monte Carlo, y se han comparado con las de los HEMTs de puerta única. Las simulaciones reproducen adecuadamente los resultados...
AB  - The static and dynamic behavior of InAlAs/InGaAsdouble-gate high-electron mobility transistors (DG-HEMTs) isstudied by means of an ensemble 2-D Monte Carlo simulator.The model allows us to satisfactorily reproduce the experimentalperformance of this...
LA  - Inglés
PB  - Institute of Electrical and Electronics Engineers (Nueva York, Estados Unidos)
KW  - Monte-Carlo, Método de
KW  - Dispositivos electrónicos
KW  - Double gate HEMTs
KW  - High-frequency electronic devices
KW  - Monte Carlo method
TI  - Comparison between the dynamic performance of double-and single-gate AlInAs/InGaAs HEMTs
ER  -