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GINEAF. Nanodispositivos Electrónicos de Alta Frecuencia
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Monte Carlo Study of Gunn Oscillations in Geometrically Shaped Planar Gunn Diodes Based on Doped GaN: Influence of Geometry, Intervalley Energy, and Temperature
García Sánchez, Diego
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
Pérez Santos, María Susana
;
González Sánchez, Tomás
(
2024
)
Artículo
Hybrid AI-Thermal Model Trained via Monte Carlo Simulations to Study Self-Heating Effects
García Sánchez, Sergio
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2024
)
Artículo
Analysis of the THz Responsivity of AlGaN/GaN HEMTs by Means of Monte Carlo Simulations
García Sánchez, Sergio
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
Paz-Martinez, Gaudencio
;
Artillan, Philippe
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2024-03
)
Artículo
Analysis of GaN-Based HEMTs Operating as RF Detectors Over a Wide Temperature Range.
Paz-Martinez, Gaudencio
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
Sánchez Martín, Héctor
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2023
)
Artículo
2D MoS2 under switching field conditions: Study of high-frequency noise velocity fluctuations
Iglesias Pérez, José Manuel
;
Pascual Corral, Elena
;
García Sánchez, Sergio
;
Rengel Estévez, Raúl
(
2023-07
)
Artículo
On the Practical Limitations for the Generation of Gunn Oscillations in Highly Doped GaN Diodes
García Sánchez, Sergio
;
Daher, M. Abou
;
Lesecq, Marie
;
Huo, L.
;
Lingaparthi, R.
;
Nethaji, Dharmarasu
;
Radhakrishnan, K.
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
García Vasallo, Beatriz
;
Pérez Santos, María Susana
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2023-07-23
)
Artículo
A Deep Learning-Monte Carlo Combined Prediction of Side-Effect Impact Ionization in Highly Doped GaN Diodes
García Sánchez, Sergio
;
Rengel Estévez, Raúl
;
Pérez Santos, María Susana
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2023
)
Artículo
Estudio de la influencia de las trampas en el comportamiento DC y AC de nanodiodos de GaN a temperaturas criogénicas y su aplicación como detectores de microondas
Pérez Martín, Elsa
(
2023-06-20
)
Tesis doctoral
Simulación, fabricación y caracterización de diodos de barrera Schottky de nitruro de galio para aplicaciones en el rango de sub-terahercios
Orfao e Vale Tabernero, Beatriz
(
2023-06-01
)
Tesis doctoral
Monte Carlo analysis of the influence of surface charges on GaN asymmetric nanochannels: Bias and temperature dependence
Pérez Martín, Elsa
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
Gaquiere, Christophe
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2021
)
Artículo
Technological Parameters and Edge Fringing Capacitance in GaN Schottky Barrier Diodes: Monte Carlo Simulations
Orfao, Beatriz
;
García Vasallo, Beatriz
;
Moro-Melgar, Diego
;
Zaknoune, M.
;
Gioia, G. Di
;
Samnouni, M.
;
Pérez Santos, María Susana
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2021
)
Artículo
Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN Self-Switching Diodes
Pérez Martín, Elsa
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
González Sánchez, Tomás
;
Gaquiere, Christophe
;
Mateos López, Javier
(
2021
)
Artículo
Dielectric Passivation and Edge Effects in Planar GaN Schottky Barrier Diodes
Orfao, Beatriz
;
García Vasallo, Beatriz
;
Pérez Santos, María Susana
;
Mateos López, Javier
;
Moro-Melgar, Diego
;
Zaknoune, M.
;
González Sánchez, Tomás
(
2021
)
Artículo
Temperature Behavior of Gunn Oscillations in Planar InGaAs Diodes
Novoa López, José Antonio
;
Paz-Martinez, Gaudencio
;
Sánchez Martín, Héctor
;
Lechaux, Yoann
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2021
)
Artículo
Influence of Laser Modulation Frequency on the Performance of Terahertz Photoconductive Switches on Semi-Insulating GaAs Exhibiting Negative Differential Conductance
Paz-Martinez, Gaudencio
;
Trevino-Palacios, Carlos Gerardo
;
Molina-Reyes, Joel
;
Romero-Moran, Alejandra
;
Cervantes-Garcia, Eric
;
Mateos López, Javier
;
González Sánchez, Tomás
(
2021
)
Artículo
Non-linear thermal resistance model for the simulation of high power GaN-based devices
García Sánchez, Sergio
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
Pérez Santos, María Susana
;
Ranjan, K.
;
Agrawal, Manvi
;
Lingaparthi, R.
;
Nethaji, Dharmarasu
;
Radhakrishnan, K.
;
Arulkumaran, S.
;
Ng, G. I.
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
(
2021
)
Artículo
Analysis of trap states in AlGaN/GaN self-switching diodes via impedance measurements
Pérez Martín, Elsa
;
Vaquero Monte, Daniel
;
Sánchez Martín, Héctor
;
Gaquiere, Christophe
;
Raposo Funcia, Víctor Javier
;
González Sánchez, Tomás
;
Mateos López, Javier
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
(
2020
)
Artículo
Design and Fabrication of Planar Gunn Nanodiodes Based on Doped GaN
Mateos López, Javier
;
González Sánchez, Tomás
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
García Sánchez, Sergio
;
Pérez Santos, María Susana
;
Gaquiere, Christophe
;
Ducournau, Guillaume
;
Lesecq, Marie
;
Agrawal, Manvi
;
Nethaji, Dharmarasu
;
Radhakrishnan, K.
(
2019
)
Artículo
GaN-based SSD structure for THz applications
Agrawal, Manvi
;
Nethaji, Dharmarasu
;
Radhakrishnan, K.
;
Gaquiere, Christophe
;
Ducournau, Guillaume
;
Lesecq, Marie
;
Mateos López, Javier
;
González Sánchez, Tomás
;
Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio
;
García Sánchez, Sergio
;
Pérez Santos, María Susana
(
2019
)
Artículo
Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes
Orfao, Beatriz
;
García Vasallo, Beatriz
;
Moro-Melgar, Diego
;
Pérez Santos, María Susana
;
Mateos López, Javier
;
González Sánchez, Tomás
(
2020
)
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