Repositorio Documental de la Universidad de Salamanca: Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)

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Título :	Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)
Autor(es) :	Fernández Buitrago, Natalia
Palabras clave :	Semiconductores Haces moleculares Difracción de electrones Dispositivos electrónicos Semiconductors Electrons difraction Electronics
Fecha de publicación :	2004
Descripción :	Proyecto fin de carrera de Ingeniería de Materiales de la Escuela Politécnica Superior de Zamora, sobre caracterización de superficies de semiconductores
URI :	http://hdl.handle.net/10366/56071 http://hdl.handle.net/10366/56071
Aparece en las colecciones:	PFC. Proyecto Fin de Carrera de Ingeniería de Materiales

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