| dc.contributor.advisor | Rengel Estévez, Raúl | |
| dc.contributor.author | Couso Fontanillo, Carlos | |
| dc.date.accessioned | 2012-03-12T15:55:08Z | |
| dc.date.available | 2012-03-12T15:55:08Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10366/115117 | |
| dc.description | Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2011 | es_ES |
| dc.description.abstract | [ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales. | es_ES |
| dc.description.abstract | [EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET. | |
| dc.format.extent | 9,88 MB | |
| dc.format.mimetype | Aplicación/zip | |
| dc.language | Español | |
| dc.language.iso | spa | es_ES |
| dc.relation.requires | Winzip | |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported | |
| dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ | |
| dc.subject | Transistores Mosfet | es_ES |
| dc.subject | MOSFET transistors | es_ES |
| dc.subject | Semiconductores | es_ES |
| dc.subject | Semiconductors | es_ES |
| dc.title | Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET | es_ES |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/bachelorThesis | |
| dc.subject.unesco | 3307.14 Dispositivos semiconductores | es_ES |
| dc.subject.unesco | 3307.19 Transistores | es_ES |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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