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Título
Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET
dc.contributor.advisorRengel Estévez, Raúl 
dc.contributor.authorCouso Fontanillo, Carlos
dc.date.accessioned2012-03-12T15:55:08Z
dc.date.available2012-03-12T15:55:08Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10366/115117
dc.descriptionProyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2011es_ES
dc.description.abstract[ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales.es_ES
dc.description.abstract[EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET.
dc.format.extent9,88 MB
dc.format.mimetypeAplicación/zip
dc.languageEspañol
dc.language.isospaes_ES
dc.relation.requiresWinzip
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subjectTransistores Mosfetes_ES
dc.subjectMOSFET transistorses_ES
dc.subjectSemiconductoreses_ES
dc.subjectSemiconductorses_ES
dc.titleEfecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFETes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.subject.unesco3307.14 Dispositivos semiconductoreses_ES
dc.subject.unesco3307.19 Transistoreses_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess


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Nombre:
PFC_Couso Fontanillo, Carlos_Efecto ...
Tamaño:
9.884Mb
Formato:
PDF
Descripción:
Proyecto fin de carrera
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