Estudio del efecto de la degeneración y la temperatura sobre el transporte de portadores en materiales tmds bidimensionales

Abstract

[ES] En este trabajo se ha analizado el transporte electrónico en dos de los TMDs semiconductores más investigados, molibdenita (MoS2) y wurtzita (WS2), a partir del simulador Ensemble Monte Carlo, ya que permite el estudio de los sistemas degenerados. Además del estudio de la movilidad a bajo campo, se ha realizado un análisis de la velocidad de deriva a altos valores de campo (30 kV/cm). A temperaturas de 50 K se ha observado que en ambos materiales se logra alcanzar una velocidad de saturación, perdiendo esta tendencia con el incremento de la temperatura, siendo en general mayores las velocidades en el WS2 debido a las menores masas efectivas, a diferencia del MoS2.

[EN] In this work, the electronic transport in two of the most investigated semiconductor TMDs, molybdenite (MoS2) and wurtzite (WS2), has been analyzed using the Ensemble Monte Carlo simulator, since it allows the study of degenerate systems. In addition to the study of mobility at low field, an analysis of the drift speed at high field values (30 kV/cm) has been carried out. At temperatures of 50 K it has been observed that in both materials a saturation speed is achieved, losing this tendency with the increase in temperature, being in general higher speeds in WS2 due to lower effective masses, unlike MoS2. .