Detectores de RF hasta 40 GHz basados en HEMTs de AlGaN/GaN

Abstract

[ES] En este trabajo se ha realizado un primer acercamiento hacia el estudio del comportamiento de los dispositivos electrónicos como detectores directos de radiofrecuencia (RF), caracterizando transistores de alta movilidad electrónica (High Electron Mobility Transistor, HEMT) fabricados con GaN trabajando en polarización nula (Zero Bias Detector, ZBD). Las medidas en radiofrecuencia para observar el comportamiento de estos dispositivos son lentas, complejas y tediosas, de manera que el objetivo de proyecto es hacer uso de una aproximación analítica, denominada modelo cuasiestático (QS), con la intención de predecir la respuesta de los HEMT frente a señales de RF incidentes sobre ellos a partir de medidas en corriente continua únicamente, más rápidas y sencillas de realizar.

[EN] In this work, a first approach has been made towards the study of the behavior of electronic devices as direct radio frequency (RF) detectors, characterizing high electron mobility transistors (HEMT) manufactured with GaN working in zero polarization (Zero ). Polarization detector, ZBD). Radio frequency measurements to observe the behavior of these devices are slow, complex and tedious, so the objective of the project is to use measurements from an analytical approach, called quasi-static model (QS), with the intention of predicting the response of the devices. HEMT. against RF signals incident on them from direct current measurements only, faster and easier to perform.