Métodos para la determinación de la resistencia térmica en HEMTs de AlGaN/Gan

Abstract

[ES] En las últimas décadas, los materiales semiconductores han despertado un enorme interés para el avance y desarrollo de la electrónica. Uno de los materiales con mayor perspectiva de futuro, gracias a sus propiedades y potenciales aplicaciones, es el nitruro de Galio (GaN). Diferenciado del resto de los materiales por tener un GAP ancho y una elevada movilidad electrónica, el nitruro de galio se sitúa como principal exponente en aplicaciones de radio frecuencia (RF) de electrónica de potencia.

[EN] In recent decades, semiconductor materials have attracted enormous interest. interest for the advancement and development of electronics. One of the materials with the greatest future perspective, thanks to its properties and potential applications, is nitride of Gallium (GaN). Differentiated from the rest of the materials by having a wide GAP and a high electronic mobility, gallium nitride is the main exponent in radio frequency (RF) applications of power electronics.