Fabricación y caracterización de heteroestructuras basadas en bicapas rotadas de MoS2

Abstract

[ES]La fabricación de dispositivos basados en materiales exfoliables bidimensionales apilados con un ángulo de alineamiento controlado ha supuesto una verdadera revolución en la física de la materia condensada y los nanodispositivos. Al controlar la rotación entre capas se puede modificar drásticamente la respuesta eléctrica de un material como el grafeno, que es semimetálico, y convertirlo en un aislante de Mott, un superconductor p-wave, etc. En este TFG se pretende explorar el efecto que la rotación entre distintas capas bidimensionales de dicalcogenuros, en concreto de MoS2 y los efectos que para la respuesta en fotocorriente puede tener las variaciones sobre las simetrías del material. La estudiante se familiarizará con el proceso de exfoliación mecánica de los materiales bidimensionales así como con la transferencia mecánica por medio de un microposicionador manual. Este proceso se realizará en una sala blanca de clase 1000 situada en el edificio del I+D+i. Para la definición de las muestras se necesitará una litografía por haz de electrones que permitirá depositar contac tos metálicos, típicamente Ti/Au, y poder así medir la fotocorriente y la conductancia de los dispositivos en distintos sistemas criogénicos.

[EN]The fabrication of devices based on two-dimensional exfoliative materials stacked with a controlled alignment angle has been a true revolution in condensed matter physics and nanodevices. By controlling the interlayer rotation it is possible to drastically modify the electrical response of a material such as graphene, which is semi-metallic, and turn it into a Mott insulator, a p-wave superconductor, etc. In this TFG we intend to explore the effect that the rotation between different two-dimensional layers of dichalcogenides, in particular MoS2, and the effects that variations on the symmetries of the material can have on the photocurrent response. The student will become familiar with the process of mechanical exfolia tion of two-dimensional materials as well as with the mechanical transfer by means of a manual micropositioner. This process will be performed in a class 1000 clean room located in the R&D building. For the definition of the samples, electron beam lithography will be needed to deposit metal contacts, typically Ti/Au, and thus be able to measure the pho tocurrent and conductance of the devices in different cryogenic systems