Antiguos diodos y transistores con diferentes encapsulados

Abstract

En 1940, Ohl descubrió de forma accidental el fenómeno del diodo de unión mientras investigaba las propiedades de cristales de silicio. Descubrió que eran las impurezas las que hacían que algunas secciones fueran más resistentes al flujo eléctrico que otras y, por lo tanto, crearan una "barrera" entre estas áreas. Fue capaz de observar que cuando iluminaba un cristal de silicio (que por casualidad tenía ciertas impurezas), generaba una corriente eléctrica y por tanto cambiaba su conductividad. Esta observación lo llevó a identificar lo que hoy conocemos como la unión p-n, una estructura fundamental en la física de semiconductores. El trabajo de Ohl preparó el terreno para el desarrollo del transistor, un hito que revolucionó la electrónica. Terminada la segunda guerra mundial, en los laboratorios Bell (EE.UU.) el brillante William Shockley (1910-1989) se rodeó de un equipo de físicos y químicos que incluía a John Bardeen (1908-1991), especialista teórico en física de semiconductores, y a Walter Brattain (1902-1987), un gran científico experimental. Sus trabajos llevaron al desarrollo del primer transistor de punto de contacto fabricado en germanio (Ge) en 1947, al que denominaron “transistor” (Figura 2). Este dispositivo, que se basaba en principios similares a los del diodo de unión de Ohl fue el primer interruptor de estado sólido, que además amplificaba señales analógicas y fue considerado como “probablemente el invento más importante del siglo XX”. Posteriormente Schockley perfeccionó la idea y concibió el transistor bipolar de unión (BJT). Los tres investigadores obtuvieron el Premio Nobel en 1956. Este invento marcó el comienzo de la era de los semiconductores y la microelectrónica.