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dc.contributor.authorMateos López, Javier es_ES
dc.contributor.authorGonzález Sánchez, Tomás es_ES
dc.contributor.authorPardo Collantes, Danieles_ES
dc.contributor.authorBollaert, Sylvaines_ES
dc.contributor.authorParenty, Thierryes_ES
dc.contributor.authorCappy, Alaines_ES
dc.date.accessioned2009-02-06es_ES
dc.date.accessioned2009-10-15T08:53:51Z
dc.date.available2009-10-15T08:53:51Z
dc.date.issued2004es_ES
dc.identifier.citationMateos López, J., González Sánchez, T., Pardo Collantes, T., Bollaert, S., Parenty, Th. y Cappy A. (2004). Design optimization of AlInAs GaInAs HEMTs for high-frequency applications. "IEEE transactions on electron devices", 51, 521-528.es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10366/55880es_ES
dc.description.abstractPor medio de simulaciones Monte Carlo se ha estudiado el efecto que tienen sobre las características dinamicas de HEMTs de InGaAs con 50nm de longitud de puerta dos parámetros importantes en la fabricación de los transistores: su anchura y el nivel de dopaje de la capa delta. El cálculo de los valores de las frecuencias de corte ft y fmax nos ha permitido concluir que el dopaje delta debe ser lo menor posible para mejorar las prestaciones en alta frecuencia, con el problema que tanbien hace disminuir la potencia entregada. También la anchura de los transistores debe ser la menor posible para obtener valores óptimos de ft y fmax, siempre teneiendo en cuenta que al reducirla el efecto de las capacidades puede hacerse importante.es_ES
dc.description.abstractBy using a Monte Carlo simulator, the static and dynamic characteristics of 50-nm-gate AlInAs GaInAs -dopedhigh-electron mobility transistors (HEMTs) are investigated. The Monte Carlo model includes some important effects that areindispensable when trying to reproduce the real behavior of the devices, such as degeneracy, presence of surface charges, T-shape of the gate, presence of dielectrics, and contact resistances. Among the large quantity of design parameters that enter the fabricationof the devices, we have studied the influence on their performanceof two important factors: the doping level of the -doped layer, and the width of the devices. We have confirmed that the value of the -doping must be increased to avoid the reduction of the drain current due to the depletion of the channel by the surface potential.However, a higher -doping has the drawback that the frequency performance of the HEMTs is deteriorated, and its value must be carefully chosen depending on the system requirements in termsof delivered power and frequency of operation. The reduction of the device width has been also checked to improve the cutoff frequencies of the HEMTs, with a lower limit imposed by the degradation provoked by the offset extrinsic capacitances.es_ES
dc.format.extent8 p.es_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.languageIngléses_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherInstitute of Electrical and Electronics Engineers (Nueva York, Estados Unidos)es_ES
dc.relation.requiresAdobe Acrobates_ES
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subjectMonte-Carlo, Método dees_ES
dc.subjectDiodos semiconductoreses_ES
dc.subjectMonte Carlo methodes_ES
dc.subjectHigh-speed deviceses_ES
dc.subjectHEMTes_ES
dc.subjectAlInAs/GaInAses_ES
dc.titleDesign optimization of AlInAs GaInAs HEMTs for high-frequency applicationses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES


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