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| dc.contributor.author | Martín Martínez, María Jesús | |
| dc.date.accessioned | 2011-05-03T12:08:47Z | |
| dc.date.available | 2011-05-03T12:08:47Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10366/83429 | |
| dc.description | En esta asignatura se describen los principales materiales empleados en aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas, y la estructura topológica de dispositivos tales como diodos, transistores, láseres de semiconductor o células solares. Se describen las principales etapas de fabricación de los mismos, desde la obtención y purificación de los materiales de partida hasta los principales procesos (dopado, litografía, grabado, oxidación, etc.) y el flujo de trabajo de los mismos. Perfil profesional Conocimiento por parte del futuro ingeniero de los principales procesos llevados a cabo en la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, que permitan su integración en industrias tales como las dedicadas a la fabricación de microchips, al desarrollo de células solares y fotovoltaicas, o a la fabricación de obleas de material semiconductor de alta pureza para las aplicaciones anteriormente mencionadas, entre otras. Aprendizaje y utilización de software de simulación para dichos procesos. OBJETIVOS de la ASIGNATURA GENERALES: Con esta asignatura se pretende que el alumno conozca la evolución histórica y el momento actual de la tecnología electrónica en sus diferentes aplicaciones a la industria tanto analógicas como digitales. El alumno deberá conocer los diferentes procesos básicos de la fabricación de circuitos integrados electrónicos de Silicio y semiconductores III-V. El desarrollo teórico se complementará con prácticas virtuales de laboratorio que se realizarán en el aula de informática. ESPECÍFICOS: Estudiar dispositivos electrónicos y optoelectrónicos elementales, tales como diodos, transistores, LEDs y láseres de semiconductor. Conocer e identificar los diferentes procesos para la obtención, a partir de las materias primas disponibles en la naturaleza, de los materiales electrónicos de alta pureza requeridos en tales dispositivos. Conocimiento de los principales procesos involucrados en el flujo de trabajo para la fabricación de tales estructuras, tanto desde un punto de vista cualitativo como cuantitativo. Aprendizaje y cálculo de los principales aspectos relacionados con el dopado, crecimiento de capas epitaxiales, procesos de oxidación y técnicas de deposición de contactos metálicos. Utilización de software de simulación de tales procesos. Asignatura optativa impartida en el Segundo Curso de Ingeniería de Materiales (2º Ciclo), en la Escuela Politécnica Superior de Zamora. | es_ES |
| dc.description.tableofcontents | I. Materiales de clase: Tema 1. Introducción. Evolución de la microelectrónica. Nociones sobre funcionamiento y tecnología de dispositivos electrónicos y circuitos integrados; Tema 2: Crecimiento, preparación y caracterización de materiales electrónicos. Obtención del semiconductor de calidad electrónica, crecimiento del monocristal. Caracterización, corte y preparación de la superficie de la oblea; Tema 3: Crecimiento epitaxial de capas. Utilidad del crecimiento epitaxial de semiconductores cristalinos. Técnicas de crecimiento; Tema 4: Formación, deposición y propiedades de capas aislantes y conductoras. Formación de capas de aislantes nativas en el semiconductor. Deposición de capas dieléctricas, de polisilicio y conductoras. Realización de las metalizaciones y de los contactos. Montaje y empaquetado; Tema 5: Procesos de dopado en semiconductores. Concepto y utilidad de la difusión y de la implantación iónica; Tema 6: Procesos de grabado y litografía. Utilidad y aplicaciones del grabado seco y húmedo. Proceso litográfico: realización de máscaras y resinas. Litografía óptica y de electrones. Materiales del substrato. Conexiones eléctricas. Tipos de empaquetado. Circuitos híbridos y placas de circuitos impresos; Tema 7: Fabricación de dispositivos. Tecnologías de Si y GaAs. Aplicaciones a la industria electrónica. Fabricación de diodos, transistores bipolares, transistores de efecto de campo. Dispositivos optoelectrónicos y circuitos integrados. II. Bibliografía. | |
| dc.format.mimetype | application/zip | |
| dc.language | Español | |
| dc.language.iso | spa | es_ES |
| dc.publisher | Universidad de Salamanca (España). Open Course Ware | es_ES |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported | |
| dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ | |
| dc.subject | Materiales Electrónicos | es_ES |
| dc.subject | Física Aplicada | es_ES |
| dc.title | Materiales Electrónicos, 2006-07 | es_ES |
| dc.title.alternative | 10921 | es_ES |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/other | es_ES |
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| dc.type | info:eu-repo/semantics/other | es_ES |
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| dc.subject.unesco | 22 Física | es_ES |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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