Estudio de la variabilidad en el alineamiento de las puertas en transistores DG-MOSFET de barrera Schottky

Abstract

[ES] Estudio de los efectos de la variabilidad de la posición de las puertas en un transistor Double-Gate (DG) MOSFET de barrera Shottky (en adelante DG-SB-MOSFET) mediante el método de Monte Carlo. Para ello se toma como punto de partida un dispositivo de doble puerta con sus contactos perfectamente alineados, efectuando simulaciones de manera sistemática para evaluar las consecuencias de los diferentes tipos de desalineación de las puertas susceptibles de aparecer en el proceso de fabricación. Se ofrece una perspectiva completa del problema en relación a los parámetros estáticos del dispositivo, determinando la influencia de estos factores de variabilidad en su rendimiento.

[EN] Study of the effects of the variability of the position of the doors to a Double-Gate transistor (DG) MOSFET Shottky barrier (hereinafter SB-DG-MOSFET) using Monte Carlo method. This is taken as a starting point a dual gate device with your contacts perfectly aligned, making simulations to systematically assess the impact of different types of misalignment of the doors which may appear in the manufacturing process. A complete picture of the problem in relation to the static parameters of the device is available, determining the influence of these variability factors in performance.