Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)

Fernández Buitrago, Natalia

Título

dc.contributor.author	Fernández Buitrago, Natalia	es_ES
dc.date.accessioned	2009-04-30	es_ES
dc.date.accessioned	2009-10-15T09:39:52Z
dc.date.available	2009-10-15T09:39:52Z
dc.date.issued	2004	es_ES
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10366/56071	es_ES
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10366/56071
dc.description	Proyecto fin de carrera de Ingeniería de Materiales de la Escuela Politécnica Superior de Zamora, sobre caracterización de superficies de semiconductores	es_ES
dc.format.extent	128 p.	es_ES
dc.format.mimetype	application/pdf	es_ES
dc.language	Español	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
dc.rights.uri	https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subject	Semiconductores	es_ES
dc.subject	Haces moleculares	es_ES
dc.subject	Difracción de electrones	es_ES
dc.subject	Dispositivos electrónicos	es_ES
dc.subject	Semiconductors	es_ES
dc.subject	Electrons difraction	es_ES
dc.subject	Electronics	es_ES
dc.title	Caracterización de superficies de semiconductores crecidos por epitaxia de haces molecularres (MBE), usando la técnica de difracción de electrones de alta energía con incidencia rasante (RHEED)	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis	es_ES
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dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/openAccess	es_ES