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dc.contributor.authorPérez Santos, María Susana es_ES
dc.contributor.authorGonzález Sánchez, Tomás es_ES
dc.contributor.authorObregon, J.es_ES
dc.contributor.authorDelage, Sylvain Laurent
dc.date.accessioned2009-01-21es_ES
dc.date.accessioned2009-10-15T08:53:47Z
dc.date.available2009-10-15T08:53:47Z
dc.date.issued2001es_ES
dc.identifier.citationPérez Santos, M.S., González Sánchez, T., Delage, S.L. y Obregon, J. (2001)." Monte Carlo analysis of the influence of dc conditions on the upconversion of generation-recombination noise in semiconductors". Semiconductor science and technology, 16 L8-L11es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10366/55879es_ES
dc.description.abstractSe analiza el método de Monte Carlo
dc.format.extent4 p.es_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.languageIngléses_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherInstitute of Physics (Londres, Gran Bretaña)es_ES
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subjectMonte-Carlo, Método dees_ES
dc.subjectGeneration-recombinationes_ES
dc.subject.classificationRuidoes_ES
dc.titleMonte Carlo analysis of the influence of dc conditions on the upconversion of generation-recombination noise in semiconductorses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_ES
dc.relation.publishversionhttps://iopscience.iop.org/article/10.1088/0268-1242/16/2/102
dc.identifier.doi10.1088/0268-1242/16/2/102
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess


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