[ES] En este Trabajo de Fin de Grado (TFG) se realizará la caracterización eléctrica de transistores
de alta movilidad de electrones, en inglés high electron mobility transistor (HEMT) de
nitruro de galio (GaN) que han sido fabricados en el Institut d’électronique de microélectronique
et de nanotechnologie (IEMN), de Lille (Francia). Las medidas experimentales, tanto
estáticas (DC), como pulsadas y de capacidad (CV), se han efectuado a diferentes temperaturas
desde 6 K hasta 500 K. El objetivo principal será establecer un protocolo de medidas
eléctricas para estudiar los diferentes componentes que contiene la oblea desde diodos, pasando
por las resistencias hasta propiamente los transistores de efecto de campo.
[EN] In this Final Degree Project (TFG) the electrical characterization of transistors will be carried out
high electron mobility transistor (HEMT)
gallium nitride (GaN) that have been manufactured at the Institut d'´electronique de micro´electronique
et de nanotechnologie (IEMN), Lille (France). The experimental measurements, both
Static (DC), as well as pulsed and capacity (CV), have been carried out at different temperatures
from 6 K to 500 K. The main objective will be to establish a measurement protocol
electrical tests to study the different components contained in the wafer from diodes, passing
from the resistors to the field effect transistors themselves.
