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Título
Métodos para la determinación de la resistencia térmica en HEMTs de AlGaN/Gan
Autor(es)
Director(es)
Palabras clave
Resistencia térmica
AlGaN/GaN
Thermal resistance
Clasificación UNESCO
3312.09 Resistencia de Materiales
2211.29 Propiedades Térmicas de Los Sólidos
Fecha de publicación
2020
Resumen
[ES] En las últimas décadas, los materiales semiconductores han despertado un enorme
interés para el avance y desarrollo de la electrónica. Uno de los materiales con mayor
perspectiva de futuro, gracias a sus propiedades y potenciales aplicaciones, es el nitruro
de Galio (GaN). Diferenciado del resto de los materiales por tener un GAP ancho y una
elevada movilidad electrónica, el nitruro de galio se sitúa como principal exponente en
aplicaciones de radio frecuencia (RF) de electrónica de potencia. [EN] In recent decades, semiconductor materials have attracted enormous interest.
interest for the advancement and development of electronics. One of the materials with the greatest
future perspective, thanks to its properties and potential applications, is nitride
of Gallium (GaN). Differentiated from the rest of the materials by having a wide GAP and a
high electronic mobility, gallium nitride is the main exponent in radio frequency (RF) applications of power electronics.
Descripción
Trabajo de fin de Grado. Grado en Ingeniería de Materiales. Curso académico 2020
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