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Título
Efecto del uso de capas de segregación de dopantes en las características estáticas de los transistores SBMOSFET
Autor(es)
Director(es)
Materia
Transistores Mosfet
MOSFET transistors
Semiconductores
Semiconductors
Clasificación UNESCO
3307.14 Dispositivos semiconductores
3307.19 Transistores
Fecha de publicación
2011
Resumen
[ES] El objeto de este estudio es el dopaje y el espesor de la capa de segregación de dopantes, para lograr corrientes de inyeccción en el canal de los dispositivos SB-MOSFET que les permitan competir con los MOSFET convencionales. [EN] The object of this study is the doping and the thickness of the layer of segregation of dopants to achieve Injection Facilities flows in the channel of the SB-MOSFET devices that enable them to compete with the conventional MOSFET.
Descripción
Proyecto fin de carrera-Universidad de Salamanca, Escuela Politécnica Superior de Zamora, 2011
URI
Colecciones
Ficheros en el ítem
Tamaño:
9.884Mb
Formato:
Adobe PDF
Descripción:
Proyecto fin de carrera